недоступно на русском языке

Текущий статус : Опубликовано

Формат Язык
PDF + ePub
Бумажный
  • CHF173
Пересчитать швейцарские франки (CHF) в ваша валюта

Тезис

This document specifies the structure model with related parameters, file format and fitting procedure for characterizing critical dimension (CD) values for wafer and photomask by imaging with a critical dimension scanning electron microscope (CD-SEM) by the model-based library (MBL) method. The method is applicable to linewidth determination for specimen, such as, gate on wafer, photomask, single isolated or dense line feature pattern down to size of 10 nm.

Standard first page

Preview 

Вы можете ознакомиться с данным стандартом в нашей онлайн-библиотеке (OBP)

Общая информация

  • Текущий статус
     : Опубликовано
    Дата публикации
     : 2019-12
    Этап
    : Опубликование международного стандарта [60.60]
  • Версия
     : 1
  • Технический комитет :
    ISO/TC 202/SC 4
    ICS :
    37.020 
  • RSS обновления

Жизненный цикл

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)

  2. Интернет-магазин
  3. Каталог стандартов
  4. ТК
  5. ISO/TC 202/SC 4
  6. ISO 21466:2019